转自公众号“微扬智源”
IEEE国际电子器件会议（International Electron Devices Meeting, IEDM）是半导体器件领域的全球顶级学术会议，被誉为该领域的“奥林匹克盛会”。近日，2025年IEDM大会入选论文名单正式公布，论文总数再创新高。本文将通过关键数据深度解读全球研究格局。
全球概览：论文数量再破纪录，高校科研机构贡献超七成
2025年IEDM入选论文达到298篇，较去年（2024年274篇）增长8.7%，再次突破历史纪录，显示出全球半导体研究的持续创新能力。从机构类型来看，高校与研究机构是绝对主力，贡献了75% 的论文，企业贡献约25%。
全球TOP10 ：最具影响力的入选机构盘点
全球顶尖机构的入选论文数量排名竞争异常激烈。按照第一作者所在机构统计，北京大学入选21篇，以绝对优势继续蝉联全球第一，彰显其在国际领域的顶尖地位。随后依次为比利时微电子中心（19篇）、佐治亚理工学院（13篇）、韩国科学技术院（12篇）、三星电子（12篇）、台积电（9篇）、新加坡国立大学（9篇）、IBM研究院（8篇）、斯坦福大学（8篇）、中国科学院微电子研究所（8篇）。
中美对比：入选论文数量解析
IEDM 2025中国入选论文共101篇，其中中国内地67篇、中国台湾27篇、中国香港7篇。
按照第一作者所在机构统计，中国内地的67篇论文来自20个机构。北京大学21篇（较去年增加6篇）、中国科学院微电子研究所8篇（较去年增加2篇）、清华大学6篇、南京大学（4篇）、中国科学技术大学（4篇）、东南大学（3篇）、上海交通大学（3篇）、西安电子科技大学（3篇）、北京航空航天大学（2篇）、山东大学（2篇）、长鑫存储（2篇）、北京理工大学（1篇）、复旦大学（1篇）、杭州领挚科技有限公司（1篇）、华中科技大学（1篇）、南方科技大学（1篇）、苏州能讯高能半导体有限公司（1篇）、西湖大学（1篇）、浙江大学（1篇）和中国科学院上海微系统与信息技术研究所（1篇）。其中，长鑫存储（CXMT）、杭州领挚科技有限公司、苏州能讯高能半导体有限公司（与小米通讯合作）集中展示了在存储、生命科学与射频等领域的最新突破，展现了中国半导体企业的创新实力。
长鑫存储在3D FeRAM与新型多层堆叠DRAM双突破。长鑫存储首次实现单片集成的堆叠式铁电存储（3D FeRAM），提出两层水平堆叠的1T1C三维架构，配备双栅极多晶硅选择晶体管，展现出优异的性能与耐久性，为低功耗非易失性存储奠定基础（12-1 | First Experimental Demonstration of Monolithically Stacked FeRAM with Dual-Gate Poly-Si Access Transistors and Horizontal Ferroelectric Capacitors）。此外，长鑫存储还展示了全球首个BEOL集成的多层DRAM架构，基于IGZO沟道晶体管完成实验验证，并在优化性能与可靠性方面取得突破，为未来高性能DRAM的发展开辟新路径（29-3 | High Performance and Robust Oxide-semiconductor Channel Transistor DRAM with Multi-tiered Architecture）。
IEDM 2025美国入选论文共74篇，按照第一作者所在机构统计，74篇论文来自28个机构。排在前5的分别是佐治亚理工学院（13篇）、IBM研究院（8篇）、斯坦福大学（8篇）、普渡大学（6篇）、圣母大学（4篇）。
机构画像：中美科研力量的类型分布对照
按照第一作者所在机构类型统计，在中国内地的入选论文贡献中，高校占据了绝对主导（约81%），而企业占比相对较低。这反映出国内强大的学术研发能力，同时也暗示了从“学术论文”到“产业成果”的转化路径仍有提升空间。反观美国，其企业界的贡献占比（约33%）显著更高。IBM研究院、英特尔、高通、美光科技、应用材料等巨头在IEDM上比较活跃，积极展示其最新的技术突破。这不仅体现了其深厚的技术储备，更是一种将前沿研究成果与市场领导力绑定的战略展示。
IEDM 2025会议将于2025年12月6日至10日在美国旧金山举行。
